Учебная стенд для исследования биполярных структур

Позволяет реализовать цикл лабораторных работ: - измерение вах p–n-перехода и сравнение её с идеальной характеристикой. - исследование прямой ветви вах различных схем диодного включения транзистора при различных температурах. - измерение обратной ветви вах электронно-дырочного перехода при различных температурах. Исследование явления пробоя. - измерение входных характеристик транзистора при различных напряжениях на коллекторе и различных температурах. - исследование семейства выходных характеристик транзистора при различных температурах. - передаточные характеристики и характеристики обратной связи биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.